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2SD2391_V01	文件：1.32839 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat) 文件：1.32839 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2391-C	文件：232.54 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE • Low VCE(sat) 文件：232.54 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2391T100Q	文件：105.04 Kbytes Page：3 Pages	Medium Power Transistor (60V, 2A) Features 1) Low saturation voltage , typically VCE (sat) =0.13V at IC / IB =1A /50mA. 2) Collector-emitter voltage =60V 3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board). 4) Complements the 2SB1561. 文件：105.04 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2394	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FN；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2394	文件：133.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Low collector saturation voltage • Wide SOA (safe operating area) • Complement to type 2SB1565 文件：133.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2394	文件：208.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Low collector saturation voltage • Wide SOA (safe operating area) • Complement to type 2SB1565 文件：208.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2394	文件：55.83 Kbytes Page：2 Pages	For Power Amplification (60V, 3A) Features 1) Low VCE (sat). 2) Excellent electrical characteristics of DC current Gain hFE. 3) Wide SOA. Applications Low frequency amplifier 文件：55.83 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2394	文件：43.04 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor (60V, 3A) 文件：43.04 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2395	文件：750.13 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. Features Low VCE(sat),wide SOA, complements the 2SB1566. Applications Voltage regulator, DC-DC converter and relay driver audio frequency power Amplifier. 文件：750.13 Kbytes 页数：5 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD2395	文件：207.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Low collector saturation voltage • Wide SOA (safe operating area) • Complement to type 2SB1566 文件：207.84 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SD2390
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
55MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV67D,2SD1123,2SD1027,2SD1515,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-48
vtest：
160
htest：
55000000
atest：
10
wtest：
100

产品属性

产品编号：
2SD2390
制造商：
Sanken
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 7mA，7A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5000 @ 7A，4V
频率 - 跃迁：
55MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS NPN DARL 150V 10A TO3P

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更多2SD239供应商更新时间2025-12-26 11:02:00

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