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2SD235	文件：69.52 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
2SD235	文件：64.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD235	文件：94.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD235	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER);	Wing Shing ComputerWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	Wing Shing Computer
2SD2351	文件：87.49 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2351	文件：61.7 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V), GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) MEDIUMPOWERTRANSISTOR(25V,1.2V) GENERALPURPOSETRANSISTOR(50V,0.15A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2351	文件：45.81 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor Features ●HighDCcurrentgain. ●Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) ●Lowsaturationvoltage.(Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD2351	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2351T106V	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2351T106W	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Highemitter-basevoltage.(VCBO=12V) 3)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.3VatIC/IB=50mA/5mA)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

封装：
UMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323
JEITA Package：
SC-70
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50
Collector current Io(Ic) [A]：
0.15
hFE：
820 to 2700
hFE (Min.)：
820
hFE (Max.)：
2700
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD235供应商更新时间2025-7-28 14:02:00

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