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2SD2351	文件：87.49 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：87.49 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351	文件：61.7 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V), GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) 文件：61.7 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：634.89 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351	文件：45.81 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor Features ● High DC current gain. ● High emitter-base voltage. (VCBO=12V) ● Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：45.81 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2351	文件：300 bytes Page：1 Pages	High hFE&Muting Transistor 根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 •高hFE•静音用表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351T106V	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：634.89 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351T106W	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：634.89 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351U3	文件：1.76283 Mbytes Page：9 Pages	丝印：BJ；Package：SOT-323；General Purpose Transistor (50V, 150mA) Features 1)High DC current gain. 2)High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3)Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=300mV at IC/ IB=50mA/5mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER 文件：1.76283 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351U3	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, SOT-323, 50V 150mA, High hFE Transistor Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market. • High DC current gain.\n• High emitter-base voltage.(VCBO=12V)\n• Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=300mV at IC/ IB=50mA/5mA);	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351T106V	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.15A UMT3	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2351
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3624,2SC4154,2SC4413,2SC4666,2SD1823,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
250000000
atest：
0.15
wtest：
0

技术参数

封装：
UMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323
JEITA Package：
SC-70
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50
Collector current Io(Ic) [A]：
0.15
hFE：
820 to 2700
hFE (Min.)：
820
hFE (Max.)：
2700
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD2351供应商更新时间2026-4-22 14:14:00

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