2SD1899数据手册贸易商无锡固电第2页-114ic电子网

首页 >2SD1899>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SD1899-L	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 1.0Watts of Power Dissipation. • Collector-current 3.0A • Collector-base Voltage 60V • Operating and storage juncti 文件：661.39 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SD1899-M	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Capable of 1.0Watts of Power Dissipation. • Collector-current 3.0A • Collector-base Voltage 60V • Operating and storage juncti 文件：661.39 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SD1899-Z	文件：1.35878 Mbytes Page：7 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1899-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE: hFE = 100 to 400 • Low VCE(sat): VCE(sat) ≤ 0.25 V 文件：1.35878 Mbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1899-Z	文件：275.97 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low collector saturation voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • High transition frequency applications 文件：275.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1899-Z	文件：56.9 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：56.9 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SD1899-Z	文件：997.37 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High hFE ● Low VCE(sat) 文件：997.37 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1899-Z	文件：43.58 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● Low VCE(sat). ● High hFE. 文件：43.58 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1899-Z	文件：291.06 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION 2SD1899-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE hFE = 100 to 400 • Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.3 VCE 文件：291.06 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1899-Z_15	文件：1.35878 Mbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：1.35878 Mbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1899-K	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC

晶体管资料

型号：
2SD1899(Z)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3386,2SD1221,2SD1252,2SD1760,2DS1802,2DS1815,2SD1816,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
60
htest：
120000000
atest：
3
wtest：
10

技术参数

Vcbo (V)：
60
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
3
VCE (sat) (V)：
0.25
hFE：
100-400
Pc (W)：
10
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市讯顺达科技有限公司	2SD1899	CJ	21+	TO-252-2L	30000	全新原装公司现货	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	2SD1899	CJ	24+	TO252	960000	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SD1899	NK南科功率	2025+	TO-252	2500	国产南科平替供应大量	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD1899	CJ	23+	TO-252-2L	30000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市正纳电子有限公司	2SD1899	RENESAS		TO252	120000	原装进口中国百强元器件分销企业专注RENESAS十年公司大量RENESAS现货欢迎您的咨询百年不变服务至上	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD1899	NEC	24+		12473		询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2SD1899	NEC	24+		8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SD1899	NEC	24+	TO-252	3000	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SD1899	CJ	23+	TO-252	30000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SD1899	TO-252	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价

更多2SD1899供应商更新时间2026-4-17 14:02:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号