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2SD1766	文件：224.04 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor Features •LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1766	文件：1.58561 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1766	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1766	文件：239.57 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •LowVCE(sat).VCE(sat)=0.16V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) •Complementsto2SB1188	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SD1766	文件：175.74 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Typ.) ●PC=0.5W(Mountedonceramicsubstrate) ●Smallflatpackage. ●Complementarypairwith2SB1188. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD1766	文件：126.85 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1766	文件：248.31 Kbytes Page：2 Pages	2A,40VNPNEpitaxialPlanarTransistor DESCRIPTION The2SD1766issuitedfortheoutputstageof0.5Waudio,voltageregulator,andrelaydriver.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1766	文件：502.27 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
2SD1766P	文件：224.04 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor Features •LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1766P	文件：369 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
32
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
1.0
PC (W)：
0.5
HFE：
180-390
@IC (mA)：
500
@VCE (V)：
3.0
ICBO：
1.0 µA
IEBO：
1.0 µA
VCE(sat) (V)：
0.8
VBE(sat) (V)：
FT (MHz)：
100
Package Qty：
Tape
FIT：
48; Tj=100℃

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