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2SD1766-R	文件：248.31 Kbytes Page：2 Pages	2A, 40V NPN Epitaxial Planar Transistor DESCRIPTION The2SD1766issuitedfortheoutputstageof0.5Waudio,voltageregulator,andrelaydriver.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1766-R	文件：711.06 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Complementsto2SB1188 •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD1766-R	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率三极管;	YJYJYCOIN ELECTRONICS CO.,LTD. 益嘉源深圳市益嘉源电子有限公司	YJ
2SD1766-R	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管;	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD1766	文件：480.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Typ.) PC=0.5W(Mountedonceramicsubstrate) Smallflatpackage. Complementarypairwith2SB1188. APPLICATIONS Poweramplifierapplication.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1766	文件：36.29 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor Features ●LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V(typical) (IC=2A,IB=0.2A).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1766	文件：725.67 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(s	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1766	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1766	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1766	文件：107.46 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
32
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
1.0
PC (W)：
0.5
HFE：
180-390
@IC (mA)：
500
@VCE (V)：
3.0
ICBO：
1.0 µA
IEBO：
1.0 µA
VCE(sat) (V)：
0.8
VBE(sat) (V)：
FT (MHz)：
100
Package Qty：
Tape
FIT：
48; Tj=100℃

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