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2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SD1623T-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-243AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 2A PCP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1623	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1623	文件：56.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor ■Features ●Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ●LargecurrentcapacityandwideASO. ●Fastswitchingspeed. ●Complementaryto2SB1123	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-CurrentSwitchingApplications PNP/NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •LargecurrentcapacityandwideASO. •Fastswitchingspeed. •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheapplied	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1623	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(??50V,(??2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1623-R	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1623-S	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	BipolarTransistor(??50V,(??2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSinglePCP Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideASO •Fastswitchingspeed •Theultraminiaturepackagefacilitateshigher-densitymounting,thusallowstheappliedhybridIC’sfurtherminiaturization Applicaitons •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SD1623-U	文件：1.18338 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
2SD1623T-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 50V 2A PCP

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