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2SD1623	文件：114.81 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：114.81 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1623	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：105 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1623	文件：56.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ■ Features ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Large current capacity and wide ASO. ● Fast switching speed. ● Complementary to 2SB1123 文件：56.51 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1623S-TD-E	文件：105 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Large current capacity and wide ASO. • Fast switching speed. • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied 文件：105 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623S-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??50V, (??2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1623T-TD-E	文件：368.26 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity and wide ASO • Fast switching speed • The ultraminiature package facilitates higher-density mounting, thus allows the applied hybrid IC’s further miniaturization Applicaitons • 文件：368.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1624	文件：355.64 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor -50V, -3A, Low VCEsat, PNP,NPN Single PCP Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Large current capacity and wide ASO Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electri 文件：355.64 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1624	文件：355.64 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor (–)50V, (–)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Fast switching speed • Large current capacity and wide ASO Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electri 文件：355.64 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
2SD1624T-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
TRANS NPN 50V 3A PCP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SD1624T-TD-E	ON(安森美)	24+	标准封装	9048	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
富凯科技(深圳）有限公司	2SD1624T-TD-E	ON	24+	SOT89	15000		询价
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深圳市芯球通科技有限公司	2SD1624T-TD-E	ON(安森美)	23+	TO-243AA	14241	公司只做原装正品,假一赔十	询价
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深圳市芯立阳电子技术有限公司	2SD1624T-TD-E	ON	20+	TO-89	4000	授权分销以芯立信阳帆前行	询价
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深圳市达恩科技有限公司	2SD1624T-TD-E	ONSemiconductor	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
深圳市纳立科技有限公司	2SD1624T-TD-E		三年内		1983	只做原装正品	询价
上海市鑫鸿达电子	2SD1624T-TD-E	SANYO/三洋	2022+		900	全新原装货期两周	询价

更多2SD162供应商更新时间2025-12-24 23:00:00

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