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2SD1306_11

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306_15

Silicon NPN Epitaxial

文件:152.36 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NDTL-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NDTL-H

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NETL-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NETL-H

Silicon NPN Epitaxial

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RENESAS

瑞萨

2SD1307

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:256.51 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1308

Silicon NPN Power Transistors

文件:105.57 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2SD1308

NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER AND LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE

文件:68.74 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD1308

Silicon NPN Power Transistors

文件:65.18 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

晶体管资料

  • 型号:

    2SD130

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    1MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD241A,BD243A,BD535,BD577,BD587,BD935,2N4232,2N4233,3DD61D,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-8

  • vtest:

    60

  • htest:

    1000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    25V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.4@20mA@0.5AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    20V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.5A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    12V

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Power Dissipation:

    600mW

  • Maximum Transition Frequency:

    200(Typ)MHz

  • Type:

    NPN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
TO-66
10000
全新
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HITACHI
24+/25+
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原装正品现货库存价优
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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RENESAS
23+
SOT-23
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原装正品,假一罚十
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24+
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3500
原装现货假一罚十
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更多2SD130供应商 更新时间2026-1-17 16:01:00