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2SD130-R	文件：95.72 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR 文件：95.72 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD130-Y	文件：95.72 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR 文件：95.72 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1306	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD1302	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92-B1	NJS	NJS
2SD1303	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST
2SD13020RA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-B1	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
2SD130
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD241A,BD243A,BD535,BD577,BD587,BD935,2N4232,2N4233,3DD61D,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
60
htest：
1000000
atest：
3
wtest：
25

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
25V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@20mA@0.5AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
12V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
600mW
Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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