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2SD1306_15

Silicon NPN Epitaxial

文件:152.36 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NDTL-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NDTL-H

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NETL-E

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NETL-H

Silicon NPN Epitaxial

文件:109.08 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1307

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:256.51 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1308

Silicon NPN Power Transistors

文件:105.57 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2SD1308

NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER AND LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE

文件:68.74 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD1308

Silicon NPN Power Transistors

文件:65.18 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

2SD130-R

SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

文件:95.72 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

晶体管资料

  • 型号:

    2SD1312

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    120MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2N3700,2N3701,2SC2383,2SC3228,2SD667,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-70

  • vtest:

    120

  • htest:

    120000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

技术参数

  • VCEO (V):

    80

  • hFE min.:

    135

  • hFE max.:

    600

  • Pc (W):

    1

  • Production Status:

    EOL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
24+
TO-92L
5000
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NEC
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更多2SD13供应商 更新时间2025-12-23 10:50:00