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2SD1221	文件：148.74 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION) Audio Frequency Power Amplifier Application • Low collector saturation voltage : VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 3 A, IB = 0.3 A) • High power dissipation: PC = 20 W (Tc = 25°C) • Complementary to 2SB906 文件：148.74 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1221-251	文件：295.18 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1221-252	文件：276.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：275.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：294.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222	文件：172.42 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2 A) • Complementary to 2SB907. 文件：172.42 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1222	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1222-251	文件：294.51 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：294.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1222-252	文件：275.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：275.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1223	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SD1221
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3386,2S3518,2SC3592,2SD1448,2SD1742,2SD1760,2SD1802,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
3000000
atest：
3
wtest：
20

技术参数

Product Category：
Power transistor for low frequency applications
Package name(Toshiba)：
PW-Mold
Recommended Product 1：
2SC6076(Almost same package but similar characteristics)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD122供应商更新时间2026-1-21 16:30:00

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