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2SD1126	文件：33.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：33.42 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1126	文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：147.86 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1126	文件：249.52 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 5A • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for power switching applications. 文件：249.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1126K	文件：33.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：33.42 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1126K	文件：147.86 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching 文件：147.86 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1127	文件：282.84 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：282.84 Kbytes 页数：2 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1127	文件：244.39 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 10A ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for power switching applications. 文件：244.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1128	文件：81.35 Kbytes Page：2 Pages	High speed switching transistor [COLLMER SEMICONDUCTOR] High speed switching transistor 文件：81.35 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1128	文件：65.12 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS 文件：65.12 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD1124	文件：260.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：260.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD1126
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT63C,BDT65C,BDX33D,2SD1176,2SD1196,2SD1607,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
120
htest：
999900
atest：
10
wtest：
50

详细参数

型号：
2SD112
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon NPN Triple Diffused

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更多2SD112供应商更新时间2025-12-25 14:00:00

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