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2SD1127

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING

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HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1127

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 10A ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for power switching applications.

文件:244.39 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1445A

TO-220F

松下

2SD1581-AZ

SOP

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SD1616AG-G

TO-92

UTC/友顺

晶体管资料

  • 型号:

    2SD1127

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDT63C,BDT65C,BDX33D,2SD1196,2SD1607,2SD1773,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    50

详细参数

  • 型号:

    2SD1127

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD1127供应商 更新时间2026-4-17 11:31:00