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2SD1006	文件：223.61 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● World Standard Miniature Package : SOT-89 ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) 文件：223.61 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1006	文件：1.72319 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) : VCEO > 100 V (2SD1006) ● Compl 文件：1.72319 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1006	文件：1.7232 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) : VCEO > 100 V (2SD1006) ● Compl 文件：1.7232 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1006	文件：52.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > 100V. 文件：52.01 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1006	文件：651.8 Kbytes Page：1 Pages	丝印：HM；Package：SOT-89；High collector to emitter vlotage Features High collector to emitter voltage: VCEO > 100V. 文件：651.8 Kbytes 页数：1 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1007	文件：387.18 Kbytes Page：2 Pages	High collector to emitter vlotage Features High collector to emitter voltage: VCEO > 120V. 文件：387.18 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1007	文件：1.7232 Mbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) : VCEO > 100 V (2SD1006) ● Compl 文件：1.7232 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1007	文件：52.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High collector to emitter voltage: VCEO > 120V. 文件：52.11 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1007	文件：223.61 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES ● World Standard Miniature Package : SOT-89 ● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007) 文件：223.61 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1000_15	文件：1.18349 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.18349 Mbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
0.7
VCE (sat) (V)：
0.4
hFE：
90-400
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.11
Cob (Typical) (pF)：
13

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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