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2SD1000	文件：218.59 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1000 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. 文件：218.59 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1000	文件：347.81 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1000 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. 文件：347.81 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1000	文件：51.15 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● Low collector saturation voltage. VCE(sat) 文件：51.15 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1000	文件：338.03 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. 文件：338.03 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1001	文件：51.14 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High collector saturation voltage. VCE(sat) > 80V ● Complimentary to 2SB800 文件：51.14 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1001	文件：337.92 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents 文件：337.92 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1001	文件：208.74 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1001 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. 文件：208.74 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1005	文件：211.74 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The 2SD1005 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits.) 文件：211.74 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1005	文件：341.07 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The 2SD1005 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits. 文件：341.07 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1005	文件：150.35 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ● High Collector to Base Voltage. ● Excellent DC Current Gain Linearity. ● Complements to PNP type 2SB804. 文件：150.35 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

技术参数

VCEO (V)：
50
IC @25 °C (A)：
0.7
VCE (sat) (V)：
0.4
hFE：
90-400
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.11
Cob (Typical) (pF)：
13

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更多2SD100供应商更新时间2025-11-23 16:20:00

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