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2SD1000	文件：218.59 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The2SD1000isdesignedforaudiofrequencypoweramplifierapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuits.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SD1000	文件：51.15 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■Features ●Lowcollectorsaturationvoltage. VCE(sat)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1000	文件：347.81 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The2SD1000isdesignedforaudiofrequencypoweramplifierapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuits.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1000	文件：338.03 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1001	文件：208.74 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The2SD1001isdesignedforaudiofrequencypoweramplifierapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuits.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SD1001	文件：51.14 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor ■Features ●Highcollectorsaturationvoltage. VCE(sat)>80V ●Complimentaryto2SB800	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1001	文件：337.92 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1005	文件：211.74 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD DESCRIPTION The2SD1005isdesignedforaudiofrequencypoweramplifierapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuits.)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SD1005	文件：52.27 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxia Features ●Worldstandardminiaturepackage:SOT-89. ●Highcollectortobasevoltage:VCBO100V. ●Excellentdccurrentgainlinearity:hFE=80TYP.(VCE=2V,IC=500mA).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1005	文件：343.25 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighBreakdownVoltage ●ExcellentDCCurrentGainLinearity	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1005	文件：78.16 Kbytes Page：1 Pages	1A , 100V NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighBreakdownVoltage ●ExcellentDCCurrentGainLinearity	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD1005	文件：1.20117 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighBreakdownVoltage ●ExcellentDCCurrentGainLinearity	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1005	文件：224.86 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •HighCollectortoBaseVoltage. •ExcellentDCCurrentGainLinearity. •ComplementstoPNPtype2SB804.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SD1005	文件：150.35 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ●HighCollectortoBaseVoltage. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●ComplementstoPNPtype2SB804.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD1005	文件：341.07 Kbytes Page：6 Pages	Old Company Name in Catalogs and Other Documents DESCRIPTION The2SD1005isdesignedforaudiofrequencypoweramplifierapplication,especiallyinHybridIntegratedCircuits.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1005	文件：669.22 Kbytes Page：2 Pages	NPN Medium Power Transistors Features ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1005	文件：1.48222 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES SmallFlatPackage HighBreakdownVoltage ExcellentDCCurrentGainLinearity	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1005-U	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •ExcellentDCCurrentGainLinearity •HighBreakdownVoltage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensit	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SD1005-V	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •ExcellentDCCurrentGainLinearity •HighBreakdownVoltage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensit	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SD1005-W	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •ExcellentDCCurrentGainLinearity •HighBreakdownVoltage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensit	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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详细参数

型号：
2SD100
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY TRANSISTOR SC-6260V .7A 2W ECB SURFACE MOUNT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富利微电子科技有限公司	2SD1000	NEC	23+	SOT-89	33500	全新进口原装现货,假一罚十	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	2SD1000	RENESAS/瑞萨		SOT89	7906200		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2SD1000	NEC	2008++	SOT-89	57200	新进库存/原装	询价
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更多2SD100供应商更新时间2024-4-29 16:50:00

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