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2SC5632	文件：49.65 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification and switching ■ Features • High transition frequency fT • S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing 文件：49.65 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC5632	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal device - Small-signal transistor - High-Frequency Amplifiers and Others	Panasonic 松下	Panasonic
2SC563200L	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管(BJT)	Panasonic 松下	Panasonic
2SC563200L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-G1	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC5632G0L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-85；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 8V 1.1GHZ SMINI3-F2	PANASONIC 松下	PANASONIC

详细参数

型号：
2SC5632
功能描述：
TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)
系列：
-
产品变化通告：
Product Discontinuation 17/Dec/2010
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
4.7V 频率 -
转换：
47GHz
噪声系数（dB典型值@频率）：
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
9dB ~ 31dB 功率 -
最大：
160mW 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
160 @ 25mA，3V 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
45mA
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商设备封装：
4-TSFP
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
BFP 740FESD E6327DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	2SC5632	NK/南科功率	2025+	SOT-323	986966	国产	询价
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更多2SC5632供应商更新时间2026-4-21 14:01:00

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