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2SC5200	文件：292.72 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·HighPowerDissipation ·HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=230V(Min) ·ComplementtoType2SA1943 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5200	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES Recommendedfor100WHighFidelityAudioFrequency AmplifierOutputStage. ComplementarytoUTC2SA1943	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC5200A	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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2SC5200A-O-W-N-B	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

详细参数

型号：
2SC5200-O
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
PWR TRANSISTOR TO-3PL PB FREE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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