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2SC5175	文件：143.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIHG CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) High-Current Switching Applications • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 2.5 A, IB = 125 mA) • High-speed switching: tstg = 0.8 µs (typ.) Collector-base voltage VCBO 60V Collector-emitter voltage VCEO 50V Emitter-base voltage VEBO 5V 文件：143.69 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5175	文件：129.61 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications 文件：129.61 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5175	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE. HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS.	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5175_04	文件：129.61 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications 文件：129.61 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC5175
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3540,2SC3691,2SC3746,2SC3747,
最大耗散功率：
1.8W
放大倍数：
图片代号：
B-5
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
5
wtest：
1.8

详细参数

型号：
2SC5175
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL TYPE(HIHG CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

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