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2SC5175

NPN EPITAXIAL TYPE (HIHG CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

High-CurrentSwitchingApplications •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max) (IC=2.5A,IB=125mA) •High-speedswitching:tstg=0.8µs(typ.) Collector-basevoltageVCBO60V Collector-emittervoltageVCEO50V Emitter-basevoltageVEBO5V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SC5175

High-Current Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SC5175_04

High-Current Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

晶体管资料

  • 型号:

    2SC5175

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)_LO_SAT

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3540,2SC3691,2SC3746,2SC3747,

  • 最大耗散功率:

    1.8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-5

  • vtest:

    60

  • htest:

    100000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    1.8

详细参数

  • 型号:

    2SC5175

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    NPN EPITAXIAL TYPE(HIHG CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SC5175供应商 更新时间2024-4-29 12:06:00