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2SC5122	文件：131.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-Voltage switching Applications • High breakdown voltage: VCEO= 400 V • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (typ.) (IC= 20 mA, IB= 0.5 mA) 文件：131.69 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5122	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5122	文件：113.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type 文件：113.32 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5122	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5122_06	文件：113.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type 文件：113.32 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC5122
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_电源用（Reg）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2267,2SC3469,2SC4166,2SD1385,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
A-12
vtest：
400
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.9

详细参数

型号：
2SC5122
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)

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