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2SC4684	文件：151.08 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low collector saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A, IB = 40 mA) • High power d 文件：151.08 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4684	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4684	文件：39.94 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features High DC current gain. Low collector saturation voltage. High power dissipation. 文件：39.94 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4685	文件：159.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A, IB = 40 mA) • High c 文件：159.97 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4686	文件：207.89 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE (TV DYNAMIC FOCUS, HIGH VOLTAGE SWITCHING, AMPLIFIER APPLICATIONS) TV DYNAMIC FOCUS APPLICATIONS HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS HIGH VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS High Voltage Vceo = 1200V (Max.) 文件：207.89 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4686A	文件：207.89 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE (TV DYNAMIC FOCUS, HIGH VOLTAGE SWITCHING, AMPLIFIER APPLICATIONS) TV DYNAMIC FOCUS APPLICATIONS HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS HIGH VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS High Voltage Vceo = 1200V (Max.) 文件：207.89 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4686A	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4687	文件：132.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • High breakdown voltage • Fast switching speed • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For switching regulator applications 文件：132.2 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4687	文件：155.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • High breakdown voltage • Fast switching speed • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For switching regulator applications 文件：155.95 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC4687	文件：136.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • High breakdown voltage • Fast switching speed • Wide area of safe operation APPLICATIONS • For switching regulator applications 文件：136.29 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SC4617
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2216,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
180000000
atest：
0.15
wtest：
0

产品属性

产品编号：
2SC4617
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，60mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，6V
频率 - 跃迁：
180MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SC75 SOT416

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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