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2SC4685	文件：159.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A, IB = 40 mA) • High c 文件：159.97 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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2SC4685	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE	Toshiba 东芝	Toshiba
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晶体管资料

型号：
2SC4685
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-25
vtest：
50
htest：
150000000
atest：
5
wtest：
10

详细参数

型号：
2SC4685
制造商：
Toshiba
功能描述：
NPN
功能描述：
NPN Bulk

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