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2SC4370	文件：242.1 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage VCEO= 160V(Min) ·Complement to Type 2SA1659 ·Full-mold package that does not require an insulating board or bushing when mounting. APPLICATIONS ·Designed for high voltage applications 文件：242.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4370	文件：208.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SA1659 ·High transition frequency APPLICATIONS ·High voltage applications 文件：208.66 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4371	文件：240.84 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400(Min) • Excellent Switching Times- : tr= 1.0μ s(Max), tf= 1.0μ s(Max)@ IC= 4A APPLICATIONS • Switching regulator application • High voltage switching application • High Speed DC-DC converter application • Fluorescent lig 文件：240.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4373	文件：369.7 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES • Small Flat Package • Large Current Capacity 文件：369.7 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC4373	文件：77.76 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES • Small Flat Package. • Large Current Capacity. 文件：77.76 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC4373	文件：1.75174 Mbytes Page：4 Pages	丝印：CO；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Small Flat Package Large Current Capacity 文件：1.75174 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC4374	文件：1.49533 Mbytes Page：3 Pages	丝印：EO；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Small Flat Package Low Collector- Emitter Saturation Voltage 文件：1.49533 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC4374	文件：339.64 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● Low Collector- Emitter Saturation Voltage 文件：339.64 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC4375	文件：339.14 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● Low Collector- Emitter Saturation Voltage 文件：339.14 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC4375	文件：1.18426 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Small Flat Package ● Low Collector- Emitter Saturation Voltage 文件：1.18426 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

技术参数

ptot(W)：
1
IC(A)：
1
Vcbo(V)：
80
Vceo(V)：
60
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.1
Icbo(V)：
50
Vce(sat)(V)：
0.5
Vce(sat)Ic(mA)：
500
Vce(sat)Ib(mA)：
50
hFE：
30
hFEvce(v)：
2
hFEIc(mA)：
100
ftMHz：
150
ftVce(v)：
10
ftIc/Ie(mA)：
50
PackageOutline：
SOT-89
Arrays：
BCE

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