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2SC4308	文件：30.33 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Silicon NPN Epitaxial Planar Application VHF Wide band amplifier 文件：30.33 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC4308	文件：166.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Silicon NPN Epitaxial Planar Application VHF Wide band amplifier 文件：166.98 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4308TZ-E	文件：166.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Silicon NPN Epitaxial Planar Application VHF Wide band amplifier 文件：166.98 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC431	文件：39.6 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTORS 文件：39.6 Kbytes 页数：1 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SC4310	文件：643.29 Kbytes Page：1 Pages	2SC4310 Switching Power Transistor 文件：643.29 Kbytes 页数：1 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SC4312	文件：631.56 Kbytes Page：1 Pages	2SC4312 Switching Power transistor HDT series 文件：631.56 Kbytes 页数：1 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
2SC4313	文件：246.79 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 800V(Min) ·Fast Switching speed APPLICATIONS ·Color TV horizontal output applications 文件：246.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4315	文件：309.96 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 14dB (f = 1 GHz) 文件：309.96 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4317	文件：354.88 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS • Low Noise Figure, High Gain • NF=1.1dB, \|S21e\|2=13dB (f=1GHz) 文件：354.88 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC432	文件：39.6 Kbytes Page：1 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTORS 文件：39.6 Kbytes 页数：1 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN

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技术参数

Vcbo (V)：
100
VCEO (V)：
60
Vebo (V)：
7
IC @25 °C (A)：
5
VCE (sat) (V)：
0.5
hFE：
100-400
Pc (W)：
15
fT (Typical) (GHz)：
0.15
Cob (Typical) (pF)：
130

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