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2SC4135	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4135	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • High breakdown voltage and large current capacity. • Fast switching speed. • Small and slim package permitting 2SA1593/ 2SC4135-applied sets to be made more compact. Applications • Power supplies 文件：128.9 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4135	文件：351.6 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • Complementary to 2SA1593 APPLICATIONS • Power supplies, re 文件：351.6 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4135	文件：300.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：300.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4135	文件：281.07 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：281.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4135	文件：45.09 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage Switching Applications Features ● High breakdown voltage and large current capacity. ● Fast switching speed. 文件：45.09 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4135	文件：491.53 Kbytes Page：9 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：491.53 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4135	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，(-)100V，(-)2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA 2SA1593/2SC4135 is Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA for High-Voltage Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT processes\n• High breakdown voltage and large current capacity\n• Fast switching speed\n• Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4135-251	文件：300.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：300.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4135-252	文件：281.07 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：281.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SC4135
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3403,2SD1220,2SD1557,2SD1815,2SD1816,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
2
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
140
hFE Max：
280
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC4135	SANYO/三洋	25+	TO-252	20300	SANYO/三洋原装特价2SC4135即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市鼎欣微电子有限公司	2SC4135	SANYO/三洋	24+	TO-252	30000	只做正品原装现货	询价

更多2SC4135供应商更新时间2025-12-24 11:39:00

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