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2SC4135S-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SC4135S-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SC4135S-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TPFA	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4135T-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 2A TP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC4135
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3403,2SD1220,2SD1557,2SD1815,2SD1816,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
2
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
140
hFE Max：
280
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC4135供应商更新时间2025-12-24 15:05:00

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