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2SC4135-251	文件：300.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：300.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4226	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NEC 瑞萨上传：深圳市锦达世纪科技有限公司	NEC
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