| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
7年
留言
|
SHINDENGEN/新电元TO220F |
54648 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
|
12年
留言
|
ShindengeNA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
12年
留言
|
SHINDENGETO-TO-220F |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
|
17年
留言
|
ITO-220 |
10000 |
24+ |
全新 |
|||
|
5年
留言
|
SHINDENGETO-220F |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
5年
留言
|
SHINDENGE22+ |
6000 |
TO-220F |
十年配单,只做原装 |
2SC4149采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2SC4149图片
2SC4149中文资料Alldatasheet PDF
更多2SC4149制造商:JMNIC 制造商全称:Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SC4149-7000功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4149-7012功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4149-7100功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4149-7112功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）_LO_SAT
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SC3255,2SC3709,2SC3748,2SD1445A,
- 最大耗散功率：
25W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-26
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
25
