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2SC400	文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers 文件：84.74 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SC4001	文件：130.78 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC4001 is designed for use of high-resolution monitor TV applications. This makes it possible to raise the video band of high-resolution monitor TVs to 50 MHz. 文件：130.78 Kbytes 页数：2 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC4001	文件：189.9 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • The 2SC4001is designed for uses of high-resolution monitor TV applications.This makes it possible to raise the video band Of high-resolution monitor TVs to 50MHz. FEATURES • Collector–Emitter Sustaining Voltage- : VCBO = 300 V(Min) • Complement to Type 2SA1546 文件：189.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4002	文件：73.03 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications??? High-Voltage Driver Applications Features · High breakdown voltage. · Adoption of MBIT process. · Excellent hFE linearity. 文件：73.03 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4003	文件：78.26 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications? High-Voltage Driver Applications Features · High breakdown voltage. · Adoption of MBIT process. · Excellent hFE linearity. 文件：78.26 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4003	文件：299.53 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：299.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4003	文件：328.07 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High hFE • Low collector-to-emitter saturation voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • High switching applications 文件：328.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4003	文件：373.85 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High hFE ● Low VCE(sat) 文件：373.85 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC4003	文件：46.74 Kbytes Page：2 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features ● High breakdown voltage ● Adoption of MBIT process ● Excellent hFE linearity 文件：46.74 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4003	文件：280.4 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：280.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SC400
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BF583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG120C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
30
htest：
300000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
250
hFE min.：
60
hFE max.：
320
Pc (W)：
1
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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