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2SC4003	文件：373.85 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High hFE ● Low VCE(sat) 文件：373.85 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC4003	文件：46.74 Kbytes Page：2 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features ● High breakdown voltage ● Adoption of MBIT process ● Excellent hFE linearity 文件：46.74 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4003	文件：124.74 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: 400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：124.74 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC4003	文件：960.43 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. Features High breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent hFE linearity. Applications High voltage driver applications. 文件：960.43 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC4003	文件：55.22 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 200 mA Collector-base voltage V(BR)CBO: 400 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：55.22 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
2SC4003	文件：78.26 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Driver Applications? High-Voltage Driver Applications Features · High breakdown voltage. · Adoption of MBIT process. · Excellent hFE linearity. 文件：78.26 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4003	文件：328.07 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High hFE • Low collector-to-emitter saturation voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • High switching applications 文件：328.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4003	文件：299.53 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：299.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4003	文件：280.4 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：280.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4003	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
1
IC(A)：
0.2
VCBO(V)：
400
VCEO(V)：
400
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
200
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.05
VCE(sat)(V)：
0.6
VCE(sat)@IC(A)：
0.05
VCE(sat)@IB(A)：
0.005
Package：
TO-251

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