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2SC4003	文件：300 bytes Page：1 Pages	400V,0.2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SC4003	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SC4003-251	文件：299.53 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：299.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4003-252	文件：280.4 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 50mA ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：280.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
1
IC(A)：
0.2
VCBO(V)：
400
VCEO(V)：
400
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
200
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.05
VCE(sat)(V)：
0.6
VCE(sat)@IC(A)：
0.05
VCE(sat)@IB(A)：
0.005
Package：
TO-251

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	2SC4003	SANYO/三洋	24+	TO-252	505348	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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更多2SC4003供应商更新时间2025-10-10 15:14:00

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