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2SC3570	文件：187.75 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3570 is NPN silicon epitaxial transistor designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier application. FEATURES ● Easy moun by eliminating Insulation Sheet and Bushing ● Low Collector Saturation Voltage. ● High Switching Speed. 文件：187.75 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3570	文件：288.53 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC3570 is a mold power transistor developed for highvoltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power amplifiers. FEATURE 文件：288.53 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3570	文件：255.66 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)= 400V(Min.) ·Low Collector Saturation Voltage ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier applications. 文件：255.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3571	文件：80.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High switching speed APPLICATIONS • Switching regulator • DC-DC converter • High frequency power amplifier 文件：80.7 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3571	文件：180.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3571 is NPN silicon epitaxial transistor designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier application. FEATURES ● Easy mount by elimination Insulation Sheet and Bushing. ● Low Collector Saturation Voltage. ● High Switching Speed. 文件：180.65 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3571	文件：120.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Low collector saturation voltage • High switching speed APPLICATIONS • Switching regulator • DC-DC converter • High frequency power amplifier 文件：120.08 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3572	文件：187.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3572 is NPN silicon epitaxial transistor designed for switching regulator, DC-DC converter and high frequency power amplifier application. FEATURES ● Easy mount by eliminating Insulation Sheet and Bushing. ● Low Collector Saturation Voltage. ● High Switching Speed. 文件：187.64 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3576	文件：84.27 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications??????? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications · LF general-purpose amplifiers, various drivers, muting circuit. Features · Adoption of FBET process. · High DC current gain (hFE=800 to 3200). · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat 文件：84.27 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3577	文件：134.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High breakdown voltage • High speed APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：134.7 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3577	文件：117.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High breakdown voltage • High speed APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：117.86 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SC3554
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）_视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFN18,2SC3380,2SC3515,2SC4189,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
300
htest：
50000000
atest：
0.2
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
300
IC @25 °C (A)：
0.2
VCE (sat) (V)：
1.5
hFE：
60-250
Pc (W)：
2
fT (Typical) (GHz)：
0.05
Cob (Typical) (pF)：
2.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC3554	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
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