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2SC3356S	文件：2.01996 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356SB	文件：2.01996 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356SC	文件：2.01996 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356SD	文件：2.01996 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC3356S-G	文件：134.19 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2SC3356W	文件：164.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP, Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain:MAG=13dBTYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC3356W	文件：653.15 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

更多2SC3356KD供应商更新时间2024-6-8 15:00:00