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2SB817	文件：123.7 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,140V,100W) 文件：123.7 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SB817	文件：172.26 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：172.26 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB817	文件：300 bytes Page：1 Pages	140V/12A, AF 60W Output Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB817C	文件：264.36 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Max.) @IC= -5A • Good Linearity of hFE • High Current Capability • Wide Area of Safe Operation • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for audio 文件：264.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB817C	文件：80.13 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -140V, -12A, Low VCE(sat) PNP TO-3P-3L Features • Large current capacitance • Wide SOA and high durability against breakdown • Adoption of MBIT process 文件：80.13 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB817C	文件：450.72 Kbytes Page：2 Pages	140V / 12A, AF 80W Output Applications Features • Large current capacitance. • Wide ASO and high durability against breakdown. • Adoption of MBIT process. 文件：450.72 Kbytes 页数：2 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB817C-1E	文件：80.13 Kbytes Page：4 Pages	Bipolar Transistor -140V, -12A, Low VCE(sat) PNP TO-3P-3L Features • Large current capacitance • Wide SOA and high durability against breakdown • Adoption of MBIT process 文件：80.13 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB817E	文件：217.16 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (PNP) Features • 2SB817E transistor is designed for use in general purpose power amplifier, application 文件：217.16 Kbytes 页数：3 Pages	TAITRON	TAITRON
2SB817E	文件：263.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -140V(Min) • Good Linearity of hFE • High Current Capability • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SD1047E • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIO 文件：263.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB817_15	文件：204.87 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：204.87 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

技术参数

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
Bipolar Transistor
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
140
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
Condition
Package Type：
TO-3P-3L

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