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2SB817C-1E

Bipolar Transistor -140V, -12A, Low VCE(sat) PNP TO-3P-3L

Features •Largecurrentcapacitance •WideSOAandhighdurabilityagainstbreakdown •AdoptionofMBITprocess

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

2SB817C-1E

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    2SB817C-1E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    10MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P-3L

  • 描述:

    TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L

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更多2SB817C-1E供应商 更新时间2025-5-12 15:08:00