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2SB609	文件：110.4 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For use in audio frequency power amplifier application 文件：110.4 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB600	文件：109.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：109.7 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB600	文件：192.33 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR 文件：192.33 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SB600	文件：125.08 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：125.08 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB600_15	文件：150.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.38 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB600_2014	文件：150.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.38 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB601	文件：118.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：118.7 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB601_15	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：177.42 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB601_2014	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：177.42 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB601
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-89
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-100
Vebo (V)：
-7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
-5
VCE(sat) (V) max.：
-1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
15000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-25
Production Status：
EOL

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