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2SB601	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierandlow-speedswitchingapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB601	文件：117.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Forlow-frequencypoweramplifierandlow-speedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB601	文件：150.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierandlow-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SB601	文件：110.45 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING FEATURES •High-DCcurrentgainduetoDarlingtonconnection •Lowcollectorsaturationvoltage •Lowcollectorcutoffcurrent •IdealforuseindirectdrivefromICoutputfo	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SB601	文件：133.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@lc=-3A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-100V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@lc=-3A APPLICATIONS •Designedforuseinlow-frequencypoweramplifiersandlow-speeds	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SB601	文件：261.91 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING FEATURES •High-DCcurrentgainduetoDarlingtonconnection •Lowcollectorsaturationvoltage •Lowcollectorcutoffcurrent •IdealforuseindirectdrivefromICoutput	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SB601	文件：118.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SB601_15	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SB601_2014	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SB601
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-89
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

详细参数

型号：
2SB601
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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