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2SB600	文件：126.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipations ·Complement to type 2SD555 APPLICATIONS ·For use in audio and power amplifier applications 文件：126.54 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB600	文件：150.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipations ·Complement to type 2SD555 APPLICATIONS ·For use in audio and power amplifier applications 文件：150.38 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB600	文件：108.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipations ·Complement to type 2SD555 APPLICATIONS ·For use in audio and power amplifier applications 文件：108.12 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB601	文件：177.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications 文件：177.42 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB601	文件：133.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ lc=-3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)=-100V(Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -1.5V(Max)@lc=-3A APPLICATIONS • Designed for use in low-frequency power amplifiers and low-speed s 文件：133.09 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB601	文件：117.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • DARLINGTON • High DC current gain • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications 文件：117.08 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB601	文件：150.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier and low-speed switching applications 文件：150.49 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB601	文件：110.45 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • High-DC current gain due to Darlington connection • Low collector saturation voltage • Low collector cutoff current • Ideal for use in direct drive from IC output fo 文件：110.45 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SB601	文件：261.91 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • High-DC current gain due to Darlington connection • Low collector saturation voltage • Low collector cutoff current • Ideal for use in direct drive from IC output 文件：261.91 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB605	文件：171.19 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SB605 is designed for use in driver and output stages of audio frequency amplifiers. 文件：171.19 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
2SB601
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-89
vtest：
100
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-100
VCEO (V)：
-100
Vebo (V)：
-7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
-5
VCE(sat) (V) max.：
-1.5
hFE min.：
2000
hFE max.：
15000
Pc (W)：
30
Package Type：
MP-25
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB60供应商更新时间2026-3-11 13:30:00

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