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2SB1730

丝印:TL;Package:TUMT3;General purpose amplification(-12V, -2A)

文件:68.38 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1730

丝印:FV;Package:TUMT3;General purpose amplification(−12V, −2A)

文件:76.23 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1730

Low VCE(sat) Transistor

根据市场需求,提供从超小型到功率型的封装,以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。 Low VCE(sat)晶体管;

ROHM

罗姆

2SB1730_1

General purpose amplification(−12V, −2A)

文件:76.23 Kbytes 页数:3 Pages

ROHM

罗姆

2SB1730TL

Package:3-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 12V 2A TUMT3

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TUMT3

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-323T

  • JEITA Package:

    SC-113A

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    PNP

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    0.4

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    -12

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    -2

  • hFE:

    270 to 680

  • hFE (Min.):

    270

  • hFE (Max.):

    680

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2x2.1 (t=0.85)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗姆
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更多2SB1730供应商 更新时间2025-12-11 14:00:00