2SB1730中文资料Low VCE(sat) Transistor数据手册ROHM规格书
2SB1730规格书详情
描述 Description
根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。
特性 Features
Low VCE(sat)晶体管
简介
2SB1730属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SB1730晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2SB1730
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TUMT3
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：SOT-323T
- JEITA Package
：SC-113A
- Number of terminal
：3
- Polarity
：PNP
- Collector Power dissipation PC[W]
：0.4
- Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
：-12
- Collector current Io(Ic) [A]
：-2
- hFE
：270 to 680
- hFE (Min.)
：270
- hFE (Max.)
：680
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：2x2.1 (t=0.85)
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