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2SB1260	文件：131.89 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：131.89 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1260	文件：669.38 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features High breakdown voltage, good hFE linearity, low VCE(sat), complements the 2SD1898. Applications General power amplifier applications. 文件：669.38 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1260	文件：362.29 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：362.29 Kbytes 页数：2 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
2SB1260	文件：173.59 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • High breakdown voltage and high current. BVCEO=-80V,IC=-1A • Good hFEVLinearity. • Low VCE(sat). • Complements the 2SD1898. 文件：173.59 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SB1260	文件：66.95 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：66.95 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SB1260L-P-AB3-B	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) 文件：57.69 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1260L-P-AB3-K	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) 文件：57.69 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1260L-P-AB3-R	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) 文件：57.69 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1260L-P-TN3-B	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) 文件：57.69 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1260L-P-TN3-K	文件：57.69 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. FEATURES * High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A * Good hFE linearity. * Low VCE(SAT) 文件：57.69 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
2SB1269
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1129,2SB553,2SB934,2SB1271,2SB1450,2SB1452,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
60
htest：
10000000
atest：
7
wtest：
40

详细参数

型号：
2SB126
制造商：
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述：
TRANSISTOR PNP 50V 7A TO-220MF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SB1269	SANYO/三洋	25+	TO-252251	45000	SANYO/三洋全新现货2SB1269即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SB1269	ROHM	24+		90000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SB1269S-E	SANYO/三洋	23+	TO262	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SB1269S-E	SANYO	07+	TO262	8880	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	2SB1269S-E	SANYO	22+	TO262	20000	公司只有原装品质保证	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SB1272	ROHM/罗姆	TO-126	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SB1272		22+	TO126	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SB1272		23+	TO126	4000	正品原装货价格低	询价

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