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2SB1320	文件：73.97 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Allowing supply with the radial taping 文件：73.97 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1320A	文件：73.97 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • Allowing supply with the radial taping 文件：73.97 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1321A	文件：68.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SD1992A ■ Features • Large collector power dissipation PC (600 mW) • Allowing supply with the radial taping 文件：68.78 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1322A	文件：70.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency power amplification Complementary to 2SD1994A ■ Features • Allowing supply with the radial taping 文件：70.41 Kbytes 页数：3 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SB1322A	文件：534.88 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Allowing Supply with The Radial Taping 文件：534.88 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1322A	文件：83.98 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Allow Supply with The Radial Taping 文件：83.98 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB1322A	文件：134.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：134.45 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB1322A	文件：63.28 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：63.28 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SB1323	文件：55.05 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors Features ● Low saturation voltage. ● Contains diode between collector and emitter. ● Contains bias resistance between collector and emitter. ● Large current capacity. ● Small-sized package making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs. 文件：55.05 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB1323	文件：81.08 Kbytes Page：3 Pages	Compact Motor Driver Applications Compact Motor Driver Applications Features • Contains input resistance (R1), base-to-emitter resistance (RBE). • Contains diode between collector and emitter. • Low saturation voltage. • Large current capacity. • Small-sized package making it easy to provide high density, small-sized hybrid 文件：81.08 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
1
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
85
hFEMax：
340
hFE@VCE(V)：
10
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.4
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-92

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