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2SB1203-252	文件：305.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·High current and high fT ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Excellent linearity of hFE ·Fast switching speed APPLICATIONS ·Relay drivers,High speed inverters,converters and other general high-current switching applications 文件：305.02 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1203S-E	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203S-H	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203S-TL-E	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203S-Tl-H	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203-TL	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203T-TL-E	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1203T-Tl-H	文件：389.87 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1203/2SD1803-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and ot 文件：389.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SB1204	文件：132.15 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications Features • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High current and high fT. • Excellent linearity of hFE. • Fast switching time. • Small and slim package making it easy to make 2SB1204/2SD1804-applied sets smaller. Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and 文件：132.15 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SB1204	文件：378.79 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor -50V, -8A, Low VCE(sat), PNP Single TP/TP-FA Features • Low collector-to-emitter saturation voltage • High current and high fT • Excellent linearity of hFE • Fast switching speed • Small and slim package making it easy to make 2SB1204-applied sets smaller Applications • Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other genera 文件：378.79 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2SB1216
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
130MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1647,2SB930A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
120
htest：
130000000
atest：
4
wtest：
20

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.9
hFE Min：
140
hFE Max：
280
fT Min (MHz)：
130
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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