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2SAR583D3FRATL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SAR583D3	文件：332.58 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-emitterbreakdownvoltage :BVCEO=-50V(Min) ·HighDCCurrentGain :hFE=180-450@(VCE=-3V,IC=-1A) ·LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.35V(Max)@(IC=-3A,IB=-0.15A) ·ComplementtoType2SCR583D3 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performancea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SAR583D3	文件：1.73895 Mbytes Page：11 Pages	PNP-7A-50VPowerTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SAR583D3FRA	文件：1.636 Mbytes Page：9 Pages	PNP-7A-50VPowerTransistor Features 1)SuitableforPowerDriver. 2)ComplementaryNPNTypes:2SCR583D3FRA. 3)LowVCE(sat) VCE(sat)=-400mV(Max.).(IC/IB=-3A/-150mA) Application LOWFREQUENCYAMPLIFIER	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
2SAR583D3FRATL
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 150mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 1mA，3V
频率 - 跃迁：
230MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252
描述：
PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO

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