2SAR583D3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SAR583D3 |
| 参数属性 | 2SAR583D3 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 50V 7A TO252 |
| 功能描述 | isc Silicon PNP Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
332.58 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ISC |
| 中文名称 | 无锡固电 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 14:46:00 |
| 人工找货 | 2SAR583D3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SAR583D3规格书详情
DESCRIPTION
·Collector-emitter breakdown voltage
: BVCEO= -50V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 180-450@ (VCE= -3V, IC= -1A)
·Low Saturation Voltage
: VCE(sat)= -0.35V(Max)@ (IC= -3A, IB= -0.15A)
·Complement to Type 2SCR583D3
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as a driver in DC/DC converters and
actuators.
产品属性
- 产品编号：
2SAR583D3TL1
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 150mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 1A，3V
- 频率 - 跃迁：
230MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252
- 描述：
TRANS PNP 50V 7A TO252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
LPTL |
7350 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM Semiconductor |
2243 |
na |
2500 |
Rohm授权代理,自营现货 |
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ROHM |
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Rohm Semiconductor |
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