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2SAR583D3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SAR583D3

参数属性

2SAR583D3 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 7A TO252

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

332.58 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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更新时间

2025-10-6 14:04:00

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2SAR583D3规格书详情

DESCRIPTION

·Collector-emitter breakdown voltage

: BVCEO= -50V(Min)

·High DC Current Gain

: hFE= 180-450@ (VCE= -3V, IC= -1A)

·Low Saturation Voltage

: VCE(sat)= -0.35V(Max)@ (IC= -3A, IB= -0.15A)

·Complement to Type 2SCR583D3

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use as a driver in DC/DC converters and

actuators.

产品属性

  • 产品编号:

    2SAR583D3TL1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 150mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 1A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    230MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 7A TO252

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM Semiconductor
2243
na
2500
Rohm授权代理,自营现货
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2025+
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