2SAR564F3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SAR564F3 |
参数属性 | 2SAR564F3 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3 |
功能描述 | PNP -4A -80V Middle Power Transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | DFN2020-3S / 3-UDFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
1.55667 Mbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Rohm |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-23 23:01:00 |
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2SAR564F3规格书详情
Features
1) Suitable for Middle Power Driver.
2) Low VCE(sat)
VCE(sat)=-360mV(Max.).
(IC/IB=-2A/-100mA)
3) High collector current.
IC=-4A(max),ICP=-8A(max)
4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)
Excellent thermal and electrical conductivity.
Application
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
产品属性
- 产品编号:
2SAR564F3TR
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
360mV @ 100mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 500mA,3V
- 频率 - 跃迁:
220MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
HUML2020L3
- 描述:
TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
5038 |
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询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
TO252 |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
T0252-3 |
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ROHM |
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TO-252 |
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ROHM |
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TO-252 |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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TO-252 |
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ROHM/罗姆 |
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