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2SAR564F3

Marking:MJ;Package:DFN2020-3S;PNP -4A -80V Middle Power Transistor

Features 1)SuitableforMiddlePowerDriver. 2)LowVCE(sat) VCE(sat)=-360mV(Max.). (IC/IB=-2A/-100mA) 3)Highcollectorcurrent. IC=-4A(max),ICP=-8A(max) 4)LeadlesssmallSMDpackage(HUML2020L3) Excellentthermalandelectricalconductivity. Application LOWFREQUENCYA

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SAR564F3TR

Package:3-UDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3

Rohm Semiconductor

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更多2SAR564F3供应商 更新时间2025-7-12 12:00:00