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2SAR583D3FRA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SAR583D3FRA |
参数属性 | 2SAR583D3FRA 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO |
功能描述 | PNP -7A -50V Power Transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-252 / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
1.636 Mbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | ROHM |
中文名称 | 罗姆 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 23:00:00 |
人工找货 | 2SAR583D3FRA价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SAR583D3FRA规格书详情
2SAR583D3FRA属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SAR583D3FRA晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
特性 Features
1) Suitable for Power Driver.
2) Complementary NPN Types : 2SCR583D3 FRA.
3) Low VCE(sat)
VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA)
Application
LOW FREQUENCY AMPLIFIER
产品属性
更多- 产品编号:
2SAR583D3FRATL
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 150mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
180 @ 1mA,3V
- 频率 - 跃迁:
230MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
TO-252
- 描述:
PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
LPTL |
7350 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2447 |
TO252 |
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罗姆 |
2022+ |
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ROHM |
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NK/南科功率 |
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国产 |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
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