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2SAR583D3分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SAR583D3

参数属性

2SAR583D3 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 7A TO252

功能描述

PNP -7A -50V Power Transistor
TRANS PNP 50V 7A TO252

丝印标识

2SAR583D3

封装外壳

TO-252 / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

1.73895 Mbytes

页面数量

11

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 13:01:00

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2SAR583D3规格书详情

2SAR583D3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由罗姆半导体集团制造生产的2SAR583D3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SAR583D3TL1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 150mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 1A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    230MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 7A TO252

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