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2SA812-M6	文件：207.06 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain:90Љ hFEЉ 600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA) • High voltage: VCEO=-50V • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available 文件：207.06 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SA812-M7	文件：207.06 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain:90Љ hFEЉ 600.(VCE=-6.0V, IC=-1mA) • High voltage: VCEO=-50V • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available 文件：207.06 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SA812Q	文件：826.89 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified 文件：826.89 Kbytes 页数：5 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
2SA812R	文件：826.89 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified 文件：826.89 Kbytes 页数：5 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
2SA812S	文件：826.89 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors FEATURE ● High Voltage: VCEO = -50 V. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: 2SC1623 ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified 文件：826.89 Kbytes 页数：5 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
2SA812-T1B	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • Complementary to 2SC1623 • High DC Current Gain: hFE= 200 TYP. (VCE= −6.0 V, IC= −1.0 mA) ) • High Voltage: VCEO= −50 V 文件：241.88 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA812_0712	文件：230.77 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：230.77 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA812_12	文件：219.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：219.91 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA812_15	文件：877.77 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：877.77 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA812_15	文件：334.39 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD 文件：334.39 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
2SA812
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
180MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC856,BCW68,BCW89,BCX17,2SA1311,3CG110C,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
180000000
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

VCEO (V)：
-50
IC @25 °C (A)：
-0.1
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
90-600
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.18
Cob (Typical) (pF)：
4.5

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